Оглавление

Список используемых сокращений
Введение

Глава 1
ОСНОВНЫЕ ОПРЕДЕЛЕНИЯ, РОЛЬ И МЕСТО ПРОЦЕССОВ НАНОЛИТОГРАФИИ В ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ МАРШРУТАХ ПРОИЗВОДСТВА ИНТЕГРАЛЬНЫХ ПРИБОРОВ, СХЕМ И СИСТЕМ С СУБСТАНАНОМЕТРОВЫМИ ТОПОЛОГИЧЕСКИМИ НОРМАМИ

1.1. Основные определения
1.2. Стадии и этапы технологического маршрута, универсальный литографический цикл, технологическая подготовка производства
1.3. Характеристики интегральных схем
1.4. Выход годных интегральных схем

Глава 2
ОСНОВНЫЕ ВИДЫ ПРОЦЕССОВ НАНОЛИТОГРАФИИ, ИСПОЛЬЗУЕМЫХ В ПРОИЗВОДСТВЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ПРИБОРОВ, СХЕМ И СИСТЕМ С СУБСТАНАНОМЕТРОВЫМИ ТОПОЛОГИЧЕСКИМИ НОРМАМИ

2.1. Нанотехнологии, нанообъекты и наносистемы
2.2. Классификация процессов нанолитографии
2.3. Нелитографические методы получения топологии наноструктур
2.4. Новые литографические методы получения топологии наноструктур

Глава 3
ОСНОВНЫЕ ФИЗИЧЕСКИЕ И ХИМИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ И ОГРАНИЧЕНИЯ, ЛЕЖАЩИЕ В ОСНОВЕ ТЕХНИКИ (ТЕХНОЛОГИИ И ПРОЦЕССОВ) ОПТИЧЕСКОЙ НАНОЛИТОГРАФИИ. БАЗОВЫЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПРОЦЕСС СОВРЕМЕННОЙ ФОТОЛИТОГРАФИИ

3.1. Контраст (контрастность) фоторезистов
3.2. Классификация процессов фотолитографии по способам экспонирования топологического рисунка фотошаблонов
3.3. Основные факторы, ограничивающие разрешение проекционной фотолитографии
3.4. Когерентное и некогерентное освещение
3.5. Формирование и передача изображения топологического рисунка фотошаблона в слой фоторезиста
3.6. Разрешение оптической проекционной фотолитографии
3.7. Основные характеристики систем фотолитографии

Глава 4
ТЕХНИКА ПОВЫШЕНИЯ РАЗРЕШЕНИЯ ПРОЦЕССОВ ОПТИЧЕСКОЙ НАНОЛИТОГРАФИИ И ТЕНДЕНЦИИ ИХ РАЗВИТИЯ

4.1. Техника повышения разрешения фотолитографического процесса
4.2. Международные прогнозы развития литографии
4.3. Литография на экстремальном ультрафиолетовом излучении (ЭУФ-литография)
4.4. Сравнительная стоимость и области применения литографических систем

Глава 5
ОСНОВНЫЕ ФИЗИЧЕСКИЕ И ХИМИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ И ОГРАНИЧЕНИЯ, ЛЕЖАЩИЕ В ОСНОВЕ ТЕХНИКИ (ТЕХНОЛОГИИ И ПРОЦЕССОВ) НАНОИМПРИНТ-ЛИТОГРАФИИ. БАЗОВЫЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ МАРШРУТ И СОВРЕМЕННОЕ ОБОРУДОВАНИЕ НАНОИМПРИНТ-ЛИТОГРАФИИ

5.1. Классификация процессов наноимпринт-литографии
5.2. Технология формирования топологического рисунка в наноштампе
5.3. Варианты процессов S-FIL-наноимпринт-литографии
5.4. Промышленное оборудование S-FIL-наноимпринт-литографии

Глава 6
ОСНОВНЫЕ ФИЗИЧЕСКИЕ И ХИМИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ И ОГРАНИЧЕНИЯ, ЛЕЖАЩИЕ В ОСНОВЕ ТЕХНИКИ (ТЕХНОЛОГИИ И ПРОЦЕССОВ) ЭЛЕКТРОННОЙ ЛИТОГРАФИИ. СОВРЕМЕННОЕ ОБОРУДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ ЛИТОГРАФИИ

6.1. Проекционная электронная литография
6.2. Сканирующая электронная литография
6.3. Промышленные системы сканирующей электронной литографии
6.4. Сканирующая многолучевая бесшаблонная электронная литография

Глава 7
БАЗОВЫЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ МАРШРУТЫ И ОБОРУДОВАНИЕ УЧАСТКОВ НАНОЛИТОГРАФИИ. ОПЕРАЦИОННЫЕ И КОНСТРУКЦИОННО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ОБОРУДОВАНИЯ. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ОПЕРАЦИЙ НАНОЛИТОГРАФИИ И ПАРАМЕТРЫ СТРУКТУР

7.1. Базовые технологические маршруты и комплекты оборудования участков нанолитографии
7.2. Параметры технологического оборудования
7.3. Технологические характеристики операций нанолитографии при обработке пластин (функциональных слоев на пластинах)
7.4. Параметры входных (поступающих на операции нанолитографии) и выходных (выходящих с операций нанолитографии) структур
7.5. Оборудование для нанесения, проявления и термообработки слоев фоторезистов и электронорезистов, а также адгезионных, планаризирующих и антиотражающих покрытий
7.6. Оборудование совмещения топологии и экспонирование слоев фоторезистов
7.7. Оборудование для реализации вакуумно-плазменных процессов проявления, зачистки, удаления и травления маскирующих покрытий и функциональных слоев
7.8. Оборудование для контроля дефектности, топологии и размеров элементов маскирующих покрытий и функциональных слоев

Глава 8
ОСНОВНЫЕ КОМПЛЕКТУЮЩИЕ ИЗДЕЛИЯ И МАТЕРИАЛЫ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ В ОБОРУДОВАНИИ И ТЕХНОЛОГИИ (ТЕХНИКЕ) НАНОЛИТОГРАФИИ, И ТЕХНИЧЕСКИЕ ТРЕБОВАНИЯ К НИМ

8.1. Виды фотошаблонов, их структура и технические требования к ним
8.2. Производство фотошаблонов
8.3. Структура наноштампов и технологический процесс их изготовления
8.4. Основные материалы, используемые в оборудовании и технологии нанолитографии
8.5. Фоторезисты, электронорезисты и рентгенорезисты
8.6. Антиотражающие покрытия

Глава 9
ПРОЦЕССЫ И ОБОРУДОВАНИЕ РАЗМЕРНОГО ТРАВЛЕНИЯ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ СЛОЕВ В ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ МАРШРУТАХ НАНОЛИТОГРАФИИ

9.1. Классификация процессов размерного травления материалов
9.2. Спонтанное химическое травление материалов
9.3. Ионное травление материалов физическим распылением
9.4. Ионное травление химически модифицированным физическим распылением материалов
9.5. Радиационно-стимулированное химическое травление материалов
9.6. Радиационно-возбуждаемое химическое травление материалов
9.7. Состав и параметры оборудования вакуумного газоплазменного травления функциональных слоев
9.8. Влияние органических защитных масок на технологические характеристики процессов размерного вакуумного газоплазменного травления функциональных слоев

Глава 10
ЗАКЛЮЧЕНИЕ. ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ ПРОЦЕССОВ И ОБОРУДОВАНИЯ НАНОЛИТОГРАФИИ

10.1. Повышение энергетической эффективности процессов и оборудования нанолитографии
10.2. Уменьшение количества литографических операций в технологических процессах производства интегральных наносхем и наноприборов
10.3. Реализация интеграции новых процессов нанолитографии
Литература